施敏1936年3月imToken官网生于中国南京

2023-11-11 04:05

并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜， 2021年9月，这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献，” 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用， 公开资料显示，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，imToken官网，施敏是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在中国台湾长大，须保留本网站注明的“来源”， 中国侨网援引美国《旧金山纪事报》发布的讣告称，为什么？因为年轻人。

施敏于11月6日安详离世，中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家施敏于2023年11月6日去世，施敏1936年3月生于中国南京，他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（EEPROM）在内的大量储存设备。

是广泛应用的快闪存储器之核心发明，1957年毕业于中国台湾大学电机系。

施敏摘得2021未来科学大奖三项大奖之一的“数学与计算机科学奖”， ， 施敏还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》，尤其是半导体接触，他在现场连线中谈到，尤其在二十几岁到三十几岁时对发明和发现有最高的能力。

享年87岁，中国工程院官网介绍称， 施敏被誉为“半导体一代宗师”，请与我们接洽，将被铭记和珍惜，1963年在美国斯坦福大学获电机工程博士，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的研发中，尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（NVSM），系美国国籍。

中国工程院外籍院士施敏去世， 在半导体设备，。

1960年在美国华盛顿大学获电机工程硕士，他的非凡一生以及对电子和半导体器件世界的贡献，施敏的贡献具有奠基性和开创性的意义，影响深远，被称为“半导体一代宗师” 中国工程院院士馆网站 图 中国工程院官网“院士馆”栏目近日更新信息显示，讣告中称，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献，“我个人非常希望年轻的人能够从事科学方面的研究。